中信建投:封装测试、前道和后道先进封装的设备和材料将是HBM主要受益方向
 点击图片查看原图
|
|
- 发布日期:2024-03-10 18:42
- 有效期至:长期有效
- 水暖电气商机区域:全国
- 浏览次数:17

|
详细说明
中信建投研报表示,HBM是限制当前算力卡性能的关键因素,海力士、三星、美光正加大研发投入和资本开支,大力扩产并快速迭代HBM,预计2024年HBM3e 24GB/36GB版本将量产/发布,内存性能进一步提高。HBM供需将持续紧俏,市场规模高速增长。通过分析生产工艺(TSV、键合等)和技术演进方向(先进制程、叠层),中信建投认为封装测试、前道和后道先进封装的设备和材料将是HBM主要受益方向。